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        • 石墨烯(1).jpg

        Graphene(石墨烯)



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        理想的石墨烯結構可以看作被剝離的單原子層石墨,基本結構為類六元環苯單元并無限擴展的二維晶體材 料,這是目前世界上最薄的材料——單原子厚度的材料。這種特殊結構蘊含了豐富而新奇的物理現象,使石墨烯 表現出許多優異。

        產品詳情


               理想的石墨烯結構可以看作被剝離的單原子層石墨,基本結構為類六元環苯單元并無限擴展的二維晶體材料,這是目前世界上最薄的材料——單原子厚度的材料。這種特殊結構蘊含了豐富而新奇的物理現象,使石墨烯表現出許多優異。

         

        特性

         

        獨特性質

        分類 性能 性能描述 應用領域
        “最”性能 最軟 莫氏硬度只有 1~2 級 柔性電子器件
        最薄 厚度為 0.335nm,頭發的20 萬分之一 納米電子器件
        最高強度 拉伸強度130MPa,楊氏模量1TPa 復合材料
        最快電子傳輸 載流子遷移率 15000cm2/V·s(為硅材料10 倍) 傳感,顯示,儲能
        最快傳熱 導熱系數5000W/(m·K) 導熱,散熱材料
        “特”性能 透光性 單層幾乎完全透明,吸光率隨層數線性增加 光電器件
        平面晶體 優異的晶體結構性能 -
        超大比表面積 比表面積 2630m2/g 傳感,顯示,儲能
        室溫鐵磁效應 - 微電子,存儲芯片

         

        制備方法

        1.1Thermal CVD 法簡述      

                化學氣相沉積法(CVD)制備石墨烯一般選擇 CH4,Ar,H2 等氣體作為前驅體,以過渡金屬晶體作為基底。將金屬基底放入封閉的容器中(如石英管),高溫催化裂解氣體生成的碳原子沉積在過渡金屬表面形成 石墨烯薄膜,這種方法可制備出大面積石墨烯薄膜,但其所需的溫度高,生長的石墨烯尺寸受基底限制, 而且需要移除基底,成本高。在制備過程中,利用等離子的輔助,所生長的石墨烯會具有更好結晶性,更少的缺陷,且層數較少(5 層左右),因而質量更高。    

         

        1.2 CVD法是最具潛力進行大規模,高質量,大尺寸石墨烯膜制備手段。

               常見化學氣相沉積法原理主要有兩種:

               滲碳析碳機制: 對于 Ni 等具有較高溶 C 量的金屬基體,碳源裂解產生的碳原子在高溫時滲入,溫度降低時,從基 體中析出成核,長大成石墨烯

               表面生長機制: 對于銅等具有較低的溶C 量的金屬基體,高溫下,氣態碳源裂解生成碳原子吸附于表面,生長成石 墨烯島,再二維長大合并得到石墨烯。

         

        CVD設備及開發現狀

         

        應用領域及發展目標

        觸摸屏、折疊屏幕、可折疊OLED、光電探測器、生物傳感器、調制器、半導體、自旋 troic 傳感器、自旋光學混合動力、波浪發生器、邏輯晶體管、射頻-晶體管、波探測器;
        熱擴散板、靈活顯示、汽車加熱器、阻隔膜、生物傳感器;

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